Search results
MOSFET (ang. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS.
If the MOSFET is an n-channel or nMOS FET, then the source and drain are n+ regions and the body is a p region. If the MOSFET is a p-channel or pMOS FET, then the source and drain are p+ regions and the body is a n region. The source is so named because it is the source of the charge carriers (electrons for n-channel, holes for p-channel) that ...
12 lut 2024 · N-MOSFET - Co to jest i do czego służy? - Botland. Spis treści: 1 Tranzystor MOSFET – budowa i zasada działania. 2 N-MOSFET vs. P-MOSFET. 3 Porównanie MOSFETów i tranzystorów bipolarnych. 4 Po co komu kolejne rodzaje tranzystorów? Czas czytania: 3 min.
30 wrz 2024 · MOSFETs are split into two types: n-channel and p-channel. N-channel MOSFET, also known as NMOS or NFET, creates a current channel between the source and the drain when a positive voltage v GS is applied between the gate and the source.
Na przykładowym schemacie, N-kanałowy MOSFET z kanałem wzbogacanym został uzyty do włączania i wyłączania lampy – może to być również dioda LED. Napięcie wejściowe ( V IN ) zostało tak dobrane, aby możliwe było pełne otwarcie tranzystora, a tym samym włączenie lampy ( V GS > 0V ).
1 sie 2024 · Oto pierwszy z serii artykułów o tranzystorach MOSFET, przypominający ich najważniejsze właściwości. Zawiera ogromnie ważne informacje na temat idealnych i realnych parametrów tych najważniejszych dziś elementów, na których opiera się cała współczesna elektronika.
A power MOSFET is a specific type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designed to handle significant power levels. Compared to the other power semiconductor devices , such as an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) or a thyristor , its main advantages are high switching speed and good efficiency at low voltages.
