Search results
MOSFET (ang. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS.
IGFET lub MOSFET to tranzystor polowy sterowany napięciowo, który różni się od JFETa tym, że jego bramka jest wykonana z metalu, który został odizolowany od kanału przy pomocy tlenku półprzewodnika. Warstwa izolująca jest bardzo cienka i zazwyczaj wykonuje się ją z tlenku krzemu.
Tranzystory MOSFET to elementy, w których płynący prąd zależy od wartości przyłożonego napięcia, a nie od prądu bazy. Dzięki temu MOSFET-y nie pobierają praktycznie żadnego prądu z układu, który steruje ich pracą.
1 sie 2024 · Oto pierwszy z serii artykułów o tranzystorach MOSFET, przypominający ich najważniejsze właściwości. Zawiera ogromnie ważne informacje na temat idealnych i realnych parametrów tych najważniejszych dziś elementów, na których opiera się cała współczesna elektronika.
20 lis 2022 · Istnieją trzy główne typy tranzystorów MOSFET: n-channel (N-MOS), p-channel (P-MOS) i enhancement mode MOSFET. W tranzystorach typu n-channel przewodnictwo kanału zachodzi, gdy na bramkę podano odpowiednie napięcie dodatnie względem źródła.
Charakterystyki statyczne tranzystora MOS FET z indukowanym kanałem. Napięcie UT zmierzone doświadczalnie wynosi 2. Po przekroczenia napięcia UGS = 2 zauważyliśmy, że prąd ID zaczął wzrastać.
Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET. Minimalne napięcie z VGS, przy którym tranzystor pozostaje załączony, przewodząc dany prąd drenu, można odczytać z powyższych charakterystyk. Przy czym, kiedy VGS stanie się odpowiednio wysokie (nawet równe VDD), punkt pracy tranzystora przeniesie się do punktu A na zaznaczonej prostej obciążenia.
